全无机CsPbI3卤化物钙钛矿量子点具有高的量子效率、独特的带隙和窄带发射特性，被广泛认为是纯红光发光二极管（LED）的有竞争力的候选者。然而，CsPbI3钙钛矿量子点的稳定性和大面积成膜工艺是其在LED领域实际应用的主要障碍。在这项工作中，我们采用Mg2+/ Yb3+共掺杂策略，成功地提高了CsPbI3钙钛矿量子点的发光强度和稳定性。离子掺杂调控后的CsPbI3量子点的发光强度提升了1.92倍。此外，离子掺杂调控后的CsPbI3钙钛矿纳米晶在120℃高温条件和外界环境中分别放置70分钟和10天后仍保持较高的光学稳定性。基于这些钙钛矿量子点，我们还制备了大面积图案化的LED (25.4 mm×25.4 mm)。该LED在6 V偏压下的峰值亮度为749 cd m-2，在电流密度为6.4 mA cm-2时的最大外量子效率为10.9 %。
相关研究：
1. Ionic doping of CsPbI3 perovskite nanocrystals improves luminescence and stability in patterned large-area light-emitting diodes.
Lv, H.; Tang, X.; Chen, M., ACS Appl. Nano Mater. 2023, 6, 20, 18918-18925.
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